技术编号:9377718
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中,在中,需要在形成硅光器件的SOI衬底的上层娃衬底(top silicon)上绑定(banding)裸晶(die),—般为三五族GaAs裸晶。在绑定(或接合)裸晶前,需要在位于SOI衬底上方的层间介电层(ILD)以及金属间介电层(MD)中形成开口,以在开口位置绑定裸晶。然而,在现有技术中,在形成开口的过程中,往往对SOI衬底的上层硅衬底造成损伤,最终影响制得的半导体器件的性能和良率。如图1A至ID所示,现有技术中的上述半导体器件的制造方法,主要包...
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