技术编号:9377739
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,在医疗、杀菌、印刷、数据存储等民用市场需求和深紫外探测以及保密通讯等军用需求的牵引下,以高Al组分AlxGa1 XN(A1组分大于0.4,简称高Al-AlxGa1 XN)为基础的光电子器件,包括深紫外(DUV)发光和探测器件引起了极大的重视。然而,要研制高性能的深紫外发光和探测器件,制备高晶体质量的高Al-AlxGa1 XN外延薄膜是必须满足的前提和基础。从材料的制备角度来讲,制备高质量AlxGa1 XN的最佳模板材料是A1N。然而,由于商业化的A...
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