技术编号:9377754
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着互补金属氧化物半导体(简称C0MS)的厚度越来越薄(目前互补金属氧化物半导体的厚度已经减小至20纳米甚至更薄),高介电常数金属栅极(简称HKMG)被广泛应用在互补金属氧化物半导体中。如图1所示的半导体器件具有金属栅极50’、通孔40’、衬底20’和介质层30’。在后续的制造工艺中需要对图1中的半导体器件进行物理气相沉积(简称PVD)处理,以得到如图2所示的金属层11’。而后,通过退火等工艺使相邻两个金属栅极50’之间形成金属硅化物12’,如图3所示。但...
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