技术编号:9377755
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路制造技术的不断发展,MOS晶体管的特征尺寸也越来越小,在MOS晶体管特征尺寸不断缩小情况下,为了降低MOS晶体管栅极的寄生电容,提高器件速度,金属栅极被引入到MOS晶体管中。图1至图7是现有技术中的PMOS晶体管中和NMOS晶体管中的金属栅极的形成方法的剖面结构示意图。参考图1,提供半导体衬底100,半导体衬底100包括NMOS区域I和PMOS区域II。在NMOS区域I形成至少一个第一伪栅极101和至少一个第三伪栅极103,在所述PMOS区域I...
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