技术编号：9377801
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中，对于鳍型场效应晶体管(FinFET)，NMOS与PMOS通常需要不同的功函数层-金属栅极叠层结构，以满足长沟道器件的阈值电压的要求。随着沟道长度缩小到14nm或10nm，形成金属栅极时的间隙填充变成了一个大问题。为提高良率，需要简化上述的NMOS与PMOS采用不同的功函数金属栅极叠层结构的技术方案，使NMOS与PMOS采用相同的功函数层-金属栅极的叠层结构，即，采用单一的功函数层-金属栅极的叠层结构。目前，有几种简化“多种功函数层-金属栅极(m...
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