技术编号:9377811
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体工艺技术的不断发展,随着工艺节点逐渐减小,金属栅极工艺得到了广泛应用,来获得理想的阈值电压,改善器件性能。但是当器件的特征尺寸(CriticalDimens1n,⑶)进一步下降时,即使采用金属栅极工艺,常规的MOS场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求,多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关注。鳍式场效应管(FinFET)是一种常见的多栅器件。FinFET中,栅极至少可以从两侧对沟道进行控制,比常规的MOS场效应管对沟道的控制能力强,能够...
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