技术编号：9377828
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，对于平面VDMOS器件来说，栅源间漏电(IGSS)是衡量器件性能的一个关键参数。一般情况下平面VDMOS器件要求IGSS需小于100纳安，若IGSS过大，轻则会导致平面VDMOS器件的功耗增大，寿命变短；重则会导致平面VDMOS器件的栅源短路，难以正常工作。现有技术中，平面VDMOS器件的制造过程如图1-图4所示，主要包括(I)在衬底I的外延层2的表面上生长栅氧层3和多晶硅层4，对多晶硅层4进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口 11，通过体区注入窗口 1...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。