技术编号:9377833
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)包括平面型VDMOS和沟槽型VDM0S。沟槽型VDMOS是一种用途非常广泛的功率器件,其漏源两极分别设置在器件两侦牝电流在器件内部垂直流通,从而增加了电流密度,改善了额定电流,单位面积的导通电阻较小。常规的沟槽型VDMOS器件的制造方法如图1至图7所示,其通常包括1)在硅衬底I的外延层2表面形成初始氧化层10,通过光刻和刻蚀,在外延层2的内部形成沟槽11 ;2)在形成有沟槽的硅衬底表面依次形成栅氧化层3...
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