技术编号:9377927
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。为提升动态随机存取存储器的积集度以加快元件的操作速度,以及符合消费者对于小型化电子装置的需求,近年来发展出埋入式字线动态随机存取存储器(buried wordline DRAM),以满足上述种种需求。但是随着存储器的积集度增加,字线间距和存储器阵列的隔离结构都会不断缩小,导致种种不良影响。譬如存储器之间的泄漏(Cell-to-cell leakage)、字线之间的干扰(又称 Row Hammer)、读写时间失效(tWR failure)、保持失效(rete...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。