技术编号:9377929
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在集成电路制作中,形成在半导体衬底上的元件必须与其他元件隔离,因此, 隔离技术是一种重要技术。随着半导体制作技术的进步,浅沟槽隔离(ShallowTrench Isolation,STI)技术已经逐渐取代了如局部硅氧化法(LOCOS)等传统半导体器件隔离技 术。 现有一般包括在半导体衬底上形成垫氧化层(Pad Oxide)和硬掩膜层,所述硬掩膜层通常可以采用氮化硅,再蚀刻所述硬掩膜层、垫氧化 层和半导体衬底形成浅沟槽;之后采用热氧化工艺在浅沟槽的底部及侧...
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