技术编号:9377995
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 快闪存储器被广泛应用于电子产品中,其中,现有工艺中的快闪存储器的形成一 般主要包括 参考图1所示,提供半导体衬底100,在所述半导体衬底100上包括中心区域90和 外围区域70。其中,在所述中心区域90的半导体衬底100上形成多个快闪存储器的栅极 堆栈结构20,所述栅极堆栈结构20的两侧形成有栅极堆栈结构20的第一侧墙31,所述第 一侧墙31外侧形成有栅极堆栈结构20的第二侧墙32。在所述外围区域70的半导体衬底 100上形成有多个外围器件的栅极结构40...
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