技术编号：9378060
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。现有技术中，如图1所示，在芯片晶圆的层间介质层20’上会开设接触孔23’，以便在接触孔23’中制作连接部，连接位于层间介质层20’两侧的衬底10’与金属层30’。现有技术中常用刻蚀的方法制作接触孔23’，但是由于硬件设备的限制，芯片晶圆的边缘的刻蚀速率相对较低，这直接导致位于芯片晶圆的边缘的接触孔23’的特征尺寸变小。根据实验统计，芯片晶圆的中心部位的接触孔23’的平均直径为73nm，然而距离芯片晶圆的中心140mm的接触孔23’的平均直径下降至60nm，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。