技术编号:9378089
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明一般涉及具有由栅极受控沟道连接的源极区和漏极区的MISFET(MOSFET) 器件,并且更具体地,本发明涉及具有由栅漏屏蔽提供的减小的漏栅反馈电容从而降低电 容耦合的MOSFET器件。背景技术 MOSFET器件具有许多电学应用,包括用作RF/微波放大器。在这种应用中,栅极 到漏极的反馈电容(CgdSQss)必须最小化,以最大化RF增益以及最小化信号失真。栅极 到漏极的反馈电容是至关重要的,因为它通过器件的电压增益有效倍增或(?? = C_(l+gm...
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