技术编号:9378149
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。众所周知,非易失性存储器(non-volatile memory)能够在电源关闭时持续保存其内部的存储资料。而现今使用最普遍的非易失性存储器即为快闪存储器(flashmemory)。快闪存储器利用浮动闸晶体管(floating gate transistor)作为存储单元。而根据存储于浮动栅极上的电荷量即可决定其存储状态。最近,一种全新架构具备电阻性元件的非易失性存储器已经被提出。该非易失性存储器称为电阻性随机存取存储器(Resistive Random ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。