技术编号:9378179
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 例如在日本特开2013-140885号公报(专利文献1)中公开了一种IE型沟槽栅 IGBT,该IE型沟槽栅IGBT的单元形成区域基本包括具有线状有源单元区域的第一线状单 位单元区域、具有线状空穴集电极单元(hole collector cell)区域的第二线状单位单元 区域以及它们之间的线状无源单元区域。 另外,在日本特开2013-258190号公报(专利文献2)中公开了一种具有有源单元 二维间隔拉长构造且未设置本体接触区域(body contact z...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。