技术编号:9378198
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。根据摩尔定律,传统MOSFET的特征尺寸不断缩小,从而不断提高大规模集成电路性能并降低成本。然而,随着器件尺寸缩小到亚微米甚至纳米尺度,例如亚22纳米尺度,器件在制造工艺和性能方面面临着严重的限制。这些限制包括通过短沟道和薄绝缘膜的电子隧穿、相关联的泄漏电流、短沟道效应、无源功率消耗、以及器件结构和掺杂的变化等等。通过米用碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nano Tube Field Effect Transistor, CNTFET)代替传统的MOS...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。