技术编号：9378212
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。SOI高压器件是SOI SPIC的重要组成部分，以其寄生效应小，功耗小，速度高，集成度高，抗辐射能力强，消除了闭锁效应等受到了广泛关注。SOI器件的耐压由横向耐压和纵向耐压来决定。SOI器件的横向耐压和体娃器件的横向耐压相似，可以将比较成熟的体石圭结终端技术应用到SOI器件上来。而对SOl器件的纵向耐压，则与体硅器件有较大的差别，是决定SOI器件耐压的主要因素。先前提高击穿电压的方法有(I)在SI层和Si02界面加一层N+缓冲层来提高埋氧层承担的电压。(2...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。