技术编号:9378220
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。场效应晶体管(FET)是能够使用电场来控制源极与漏极之间的沟道的形状和导电性的一种晶体管。鳍式场效应晶体管(FinFET)是其中硅鳍部环绕导电沟道的一种FET。栅极环绕鳍部,这提供了对沟道的更好的控制并且可减少来自沟道的漏电流。栅极的尺寸确定器件的沟道长度。此外,因为相比其他类型的晶体管栅极对沟道具有更好的控制,所以当栅极断开时,断开栅极引起较小的漏电流。当使用块体硅加工流程制作FinFET时,鳍部的顶部形成有源区,并且鳍部的主体在有源区下方延伸至阱,导致...
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