技术编号：9378233
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的制作过程中，为了减少曝光次数，工程人员常使用半曝光技术。利用半曝光技术，可仅通过一道光罩(Mask)工艺同时对两层以上的待处理材料进行图案化处理，从而提高生产效率，降低生产成本。但现有技术中至少存在以下问题第一，由图1可以看出，在工艺过程中会对金属层材料层下层的栅极绝缘层I产生过刻蚀，并且会横向刻蚀掉一小部分光刻胶图形层41，由于刻蚀掉的一小部分光刻胶图形层41的遮挡作用，使得其下方的栅极绝...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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