技术编号：9378350
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中，相变存储器(PCRAM)由于具备低功耗、尺寸易于小型化、高读写速度等优点而成为非易失性存储器的首选。然而，相变存储器的良率问题一直是本领域亟待解决的技术问题。在现有的一种相变存储器的制造方法中，在相变层(PCR)之上直接形成材料为FSG(掺氟的娃玻璃)的金属间介电层(IMD)。由于相变材料GST(形成相变层的材料)与普通CMOS工艺中的金属层的材料特性完全不同，相变材料与ηω之间并不友好，因此在相变存储器的制造过程中非常容易出现相变层与金属间介...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。