技术编号:9382383
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本发明涉及。高纯度多晶硅(多晶的硅)用作为用于通过切克劳斯基法(Czochralski,CZ)或区域融化法(zone melting, ZM)来生产用于半导体的单晶硅的原料,并且用于通过生产光电太阳能电池用的各种拉制和铸造方法来生产单晶硅或多晶硅的原料。多晶娃通常通过西门子法(Siemens process)生产。所述方法中,将包含一种或多种含硅组分和任选的氢气的反应气体引入至包含经直接通电加热的基底的反应器中,其中硅以固体形式沉积在所述基底上。优...
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