技术编号:9383504
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本文提供的背景描述是为了大体介绍本公开的背景。目前列举的发明人的工作 (在这个背景技术部分中描述的程度上)以及在递交时可能不适合作为现有技术的描述的 方面,既不明确地也不隐含地相对于本公开被承认为现有技术。 等离子体蚀刻在半导体制造中被频繁地使用(仅仅是举例)。在等离子体蚀刻中, 离子由电场加速以蚀刻在衬底上的被暴露表面。根据由射频(RF)电力系统的RF产生器产 生的RF电力信号来产生电场。由RF产生器产生的RF电力信号被精确地控制以有效地执 行等离子体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。