技术编号:9392445
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。分子束外延(MBE)是由美国贝尔实验室J.R.Authur和A.Y.Cho于上世纪60年代末发明的一种典型的晶体外延生长技术,在分子束外延MBE系统中,一种或多种热原子或分子束流直接喷射到加热的单晶基底表面,而MBE中的超高真空(P ( 10 9 torr)环境则保证生长出的材料具有极高的纯度。该技术把薄膜材料的生长厚度从微米量级延伸至到亚微米量级的单原子层尺度,并且通过与能带调控工程的结合,合成了一系列人工异质结、超晶格半导体等材料,从而诞生了新一代高电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。