技术编号:9398958
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。对于IGBT的驱动,外置的驱动电阻会影响IGBT损耗及开关时间、反向偏置安全工作区(RBSOA)、短路电流安全工作区(SCSOA)、电磁干扰(EMI)、dv/dt、di/dt等参数。目前,IGBT驱动电路电阻的选取有图1和图2两种方式,其中,图1中IGBT的开通和关断用同一种电阻,带来的不足是针对一些高频应用(如频率>=20KHz)关断时电阻较大会带来关断损耗过大,器件发热量大的问题。针对以上问题,提出图2所示的改进方案,开通和关断时分别采用不同的电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。