技术编号：9402116
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在半导体基板处理中，存在于基板上或存在于施加到基板的层上的污染物可能不 利地影响后续的工艺或已完成的半导体器件的性能。污染物可包含不希望有的施加到基材 的金属氧化物或工艺残留物（诸如来自蚀刻工艺的掩模残留物）。 为了去除所述污染物，基板的处理可包含非选择性的蚀刻工艺，例如，利用离子化 形式惰性气体（诸如氩（argon))的蚀刻。所述蚀刻工艺可发生于腔室中，在所述腔室中惰 性气体的等离子体在被基板支撑件支撑的基板的上方形成。某些情况中，所述基板支撑件 親合...
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