技术编号:9402137
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在具备MOS-FET或IGBT等半导体有源元件的半导体装置中,大多在形成了该半导体有源元件的基板,即有源元件基板上隔着绝缘膜而形成温度检测元件。该温度检测元件一般由温度检测用二极管构成,该温度检测用二极管通过由多晶硅构成的pn结二极管而实现,以I个或者多个串联连接而构成。上述温度检测用二极管主要在上述半导体有源元件的工作时以一定电流被通电驱动。然后,根据上述温度检测用二极管中产生的电压Vf,检测上述半导体有源元件的工作温度(例如,参照专利文献I)。现有技术...
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