技术编号:9402143
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置(绝缘栅型场效应晶体管)以及其制造方法。背景技术已知例如金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET绝缘栅型场效应晶体管)或绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为用于功率半导体装置的半导体元件。图5是示出通常的逆变器的电路图。图6的(a)是示出通常的IGBT的主要部分的截面图,图6的(b)是示出MOSFET的主要部分的截面图。IGBT 101已经被广泛地用作高击穿电压开关元件,该高击穿电压开关元件被用于图5中示出的逆变电路1000。IGB...
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