技术编号:9412099
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种无机半导体材料,特别是SiC纳米阵列。背景技术碳化硅(SiC)是第三代半导体的核心材料之一,与元素半导体材料(Si)和其他化合物半导体材料GaAs、GaP和InP相比,它具有很多优点。碳化硅不仅具有较大的带隙宽度(3C、4H、6H型碳化硅在室温下的带隙宽度分别为2.23,3.22,2.86eV),而且具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子漂移速度等特点,在高温、高频,大功率,光电子和抗辐射等方面具有巨大的应用前景。用碳化硅取代硅,制备光电器件...
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