技术编号：9418972
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 半导体器件和电路制作中需要对晶片进行多次光刻。光刻的目的是选择性的曝光 晶片上的光刻胶，W满足后续工艺的需要。光刻的基本过程就是将光刻版和晶片进行对准 后，使用紫外光等光波对事先涂好光刻胶的晶片进行曝光，由于光刻版对紫外光具有选择 透过性，而光刻胶是对紫外光敏感的化学物质，光照可W引起光刻胶的性质变化，光照部分 的光刻胶会由可在显影液中溶解变成不可在显影液中溶解或者由不可在显影液中溶解变 成可W在显影液中溶解，从而选择性的保留晶片上光刻胶的图案，进而对晶...
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