技术编号：9419093
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前广泛应用的Oxide薄膜晶体管采用氧化物半导体作为有源层，具有迀移率大、开态电流高、开关特性更优、均匀性更好的特点，可以适用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分辨率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。现有技术中薄膜晶体管包括栅线及栅极，半导体层，源漏极，钝化层及像素电极等。当在制造过程中采用惯用的电阻值低的金属材料构成的源漏电极层和氧化物半导体膜来直接接触的薄膜晶体管结构时，容易在源漏电极层和氧化物半导体膜的接触面形成肖特基结的现象，影响薄膜...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。