技术编号：9421964
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 用于制造半导体的方法包含在图案化硅晶圆上形成无机膜（例如氧化硅膜或 氮化娃膜）的制程及间隙填充（gap-fill)无机膜中所形成的介层孔（via-hole)的制 程。进行间隙填充制程以用有机膜材料填充介层孔，在间隙填充制程之后，进行平坦化制 程以移除过量有机膜。关于平坦化制程，本领域中关注通过CMP(chemicalmechanical polishing)来进行研磨。 用于有机膜的典型的CMP浆料组成物包含聚合物研磨粒子，以允许有机膜在无表 面条件劣化...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。