技术编号:9422082
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为生成硅的单晶的方法,通常进行丘克拉斯基(CZ)法、悬浮区熔(FZ)法。CZ法中,通过在坩祸内熔融多晶硅,与欲制作的方位的晶种共同提拉来生成单晶。此外,FZ法中,将晶种配设于棒状多晶硅的下部,并通过加热使晶种与多晶的界面部分熔融来生成单晶。在任一方法中,均可生成高品质的单晶硅,但设备昂贵,并且作业工序繁琐,是不适合太阳能面板等中使用的大型硅晶体、大量生产的技术。因此,为了效率良好地生成太阳能面板等中使用的大型硅晶体,使用铸造法(例如,参照专利文献I) ο...
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