技术编号：9422990
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本发明涉及一种用于半导体元件的背表面接触的方法，所述半导体元件具有基本上由硅组成的衬底、至少部分地被施加于衬底背表面上的铝层，并且形成具有硅和铝的共晶体的掺杂硅的铝层和作为背表面场(BSF)的掺杂铝的硅层。因此随着半导体元件接合连接到电导体，同时实现铝层孔隙率的减小。根据本发明，也提供了背表面接触式半导体元件，该元件可以利用上述方法来生产。在半导体生产、特别是太阳能电池生产中，出于生产成本的原因，烧结金属接触件被用在电池的前表面和/或背表面上。通常...
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