技术编号:9430679
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在半导体装置的制造工序中,有时进行使作为基板的半导体晶圆(以下称作"晶 圆")的表面氧化的工艺。以往,用于进行这样的氧化的技术是公知的。发明内容 发明要解决的问题 另外,作为进行所述氧化的工艺,公知有例如ALD (Atomic Layer Deposition 原 子层沉积),有时使用该ALD来进行在晶圆的表面上形成硅氧化物(SiO2)等的薄膜的处理。 在用于进行这样的ALD的成膜装置中,在其内部设为真空气氛的处理容器(真空容器)内 设有晶圆的载置部。并...
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