技术编号:9430682
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种MOCVD设备及其中寄生颗粒的清除方法。背景技术目前,在金属有机化学气相沉积法(以下简称M0CVD),将II或III族金属有机化合物的气体,与含IV或V族元素的氢化物气体引入MOCVD设备的反应腔内,使两者的混合气体在流经反应腔内的基片表面时,能够在基片表面发生热分解反应,从而外延生长形成化合物单晶薄膜。如图1所示是现有一种MOCVD设备的示意图,在反应腔60内的顶部设有喷淋头70,可向反应腔60内引入两路反应源气体,...
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