技术编号:9434443
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体集成电路芯片的工艺制作利用批量处理技术,在同一硅衬底形成大量各种类型的复杂器件,并将其互相连接以具有完整的电子功能。随着超大规模集成电路的迅速发展,芯片的集成度越来越高,元器件的尺寸越来越小,器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对半导体工艺制作结果的影响也日益突出。金属-氧化物-半导体场效应晶体管(M0SFET,通常简称为MOS晶体管),当工作在饱和区时其部分沟道被夹断,流过夹断区的载流子被大电场加快到很高的速度,形成所谓的热载流子;一些热载流子与晶格...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。