技术编号：9434508
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种存储器装置及其制造方法，特别是指用于多阶三维叠层装置的内连接结构。背景技术在集成电路的制造中，某些工艺使用活化性离子(activated 1ns)。举例来说，包括金属刻蚀、光刻胶剥离，以及金属间介电质沉积等后端工艺，皆涉及等离子体，以在受处理晶粒内的结构感应电荷。此种在工艺期间对结构的充电被称为天线效应。天线效应感应的电荷可能损坏装置中的结构，包括影响装置效能的结构。举例来说，在存储器装置中，字线或其它相对较大的导电结构可以承受较大的天线...
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