在边缘区域具有场电介质的半导体器件的制作方法技术资料下载

技术编号:9434553

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像是半桥电路的应用在半导体开关器件的半导体本体的本体与漂移区之间使用本体二极管作为在开关器件的反向模式下的续流二极管。在本体二极管的正向偏置模式下,注射到漂移区中的空穴和电子形成导致本体二极管的低正向电压降的高密度电荷载流子等离子体。电荷载流子的显著部分涌进将包括晶体管单元的有源区域与半导体本体的侧表面相分离的边缘区域。当开关器件从反向偏置变成正向偏置时,本体二极管从正向偏置变成反向偏置并且移动电荷载流子被从漂移区移除。期望的是提供更可靠的半导体器件。发明...
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