技术编号:9434557
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明主要关于半导体功率器件,更确切地说是关于半导体功率器件的配置及其 制备方法,以改善集电极-发射极饱和电压并避免背部注入。背景技术 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种带有复合结构的半导体功率器件,结合了金 属-氧化物-半导体场效应晶体管(M0SFET)和双极结型晶体管(BJT)的特点。凭借M0SFET 的栅极电极易于控制、双极电流机制、以及较短的切换时间和较低的功率损耗等优势,使 IGBT广泛应用于高压和高功率器件。 为了降低IGBT的导通电阻,已研...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。