技术编号:9434564
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。超高压LDMOS (所述超高压是指器件的耐压值大于600V)工艺应用中,有一种应用将该LDMOS作为高压电路区域和低压电路区域的电平位移(level shift)用,此时要求该LDMOS的漏端金属引线到高压电路区域,去控制高压逻辑区域,如图1所示,这样就要求该电平位移LDMOS的漏端金属引线能够跨出高压器件的漂移区到高压逻辑区域。实现超高压的高压电路区域隔离主要需要解决三个方面的耐压需求,一是横向的高压电路区域内N型到外面P型衬底引出端的耐压要求,二是高压...
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