技术编号:9434570
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在IXD(液晶显示器)或OLED(有机发光二极管)显示器中,每个像素点都是由集成在像素点后面的薄膜场效应晶体管(英文Thin Film Transistor ;简称TFT)来驱动,从而可以做到高速度、高亮度、高对比度的显示屏幕信息。相关技术中,TFT的开态电流(1n)与TFT的沟道区域的宽长比正相关,为了提高开态电流,可以通过增加沟道区域的宽度或者减少沟道区域的长度来提高宽长比,通过刻蚀工艺形成的半导体层在外加电压作用下在源、漏极之间形成沟道区域,沟道区域...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。