技术编号:9434571
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在液晶显示领域中,设有薄膜晶体管(英文thin film transistor,简称TFT) 的阵列基板作为液晶显示面板的开关,其结构与工艺对该液晶显示面板的显示效果影响至 关重要。而为响应目前大尺寸化需求,且降低信号传输过程中的RC延迟等问题,低成本,低 阻抗铜显然制成TFT的栅极、源极、漏极的不二选择。 在目前的TFT制程工艺中,TFT的栅极、源极、漏极常采用钼层与铜层叠置或钛层 与铜层叠置的结构,其中,钼层和钛层作为缓冲层。在TFT制作过程中,先分...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。