技术编号:9434610
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现今,氮化物发光二极管(LED)固体照明因其独特的性能,已在照明方面实现广泛的应用。传统的氮化物发光二极管的电子数量和迀移率远大于空穴,导致在多量子阱发光层复合完后仍有大量剩余电子,这些电子容易溢出于P型与空穴结合,产生非辐射复合,降低注入多量子讲发光层的空穴数量,导致发光效率和强度下降,以及efficiency droop的产生。为了降低电子溢出至P型,一般在多量子阱结构之后生长一层掺Al的AlGaN电流阻挡层,借助AlGaN较高的势皇阻挡电子向P型移动...
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