技术编号:9434631
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来随着计算机技术、互联网技术的飞速发展,非易失性存储器件在半导体行业中扮演越来越重要的角色。在非易失性存储器件中,即使当电源被切断,器件的基本单元仍保持基本单元中存储的数据。电阻型随机存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是一种新型非易失性存储器,其工作的机理是在外电场触发可逆电阻转变效应,即在外加电压的作用下,器件的电阻在低阻态(“O”)和高阻态(“ I ”)之间可逆转变,并且所得到的电阻在外电场去除后可以保...
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