技术编号:9439171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明用于对半导体晶圆进行等离子切片的方法和设备相关申请的交叉引用本申请与2011年3月14日提交的、发明名称为“用于对半导体晶圆进行等离子切片的设备(Apparatus for Plasma Dicing a Sem1-conductor Wafer) ”的共同拥有的美国临时专利申请N0.61/452,450有关并要求其优先权,该临时专利申请通过引用的方式并入本文。本申请是2012年3月5日提交的、发明名称为“用于对半导体晶圆进行等离子切片的方法和设备...
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