具有交替的n掺杂区域和p掺杂区域的单片硅晶圆的制作方法技术资料下载

技术编号:9439172

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本发明设及在竖直横截面上具有交替的n渗杂区域和P渗杂区域的新型的单片娃 晶圆W及其制备方法的各种变型。 运样的晶圆在制造光伏模块和光伏电池的情况下是特别有利的。背景技术 当前,光伏(PV)模块主要通过组装由单晶娃或多晶娃制成的电池制造而成,运些 电池通常由P导电性的晶圆制造。 在大约Im2的合理尺寸的PV模块中,晶圆的标准尺寸(156mmX156mm)意味着PV 模块的开路电压(V。。)被限制为几十伏。[000引为了尝试增大PV模块的V。。电压,已经开发...
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