技术编号:9439196
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。肖特基(Schottky)栅极耗尽型场效应装置由于其精细金属栅极结构(0.5 μπι或更小金属栅极长度)而对ESD损坏敏感。不同于CMOS硅或双极晶体管过程,在高电子迀移率晶体管(HEMT)过程中不存在可用于形成紧凑型ESD保护二极管的强健P-N结二极管。HEMT (也被称为异质结构FET (HFET)或调制掺杂FET (MODFET))为替代经掺杂区(如通常为MOSFET的情形)在具有不同带隙的两种材料之间并入有结(S卩,异质结)作为通道的场效应晶体管。...
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