技术编号：9439232
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明有机半导体共混物 发明领域 本发明设及制备有机电子器件的半导体层的共混物和溶液并且设及包括沉积该 溶液的制备有机电子器件的半导体层的方法。本发明还关于包含该共混物的有机电子器件 和制备该器件的方法。背景技术 晶体管可W通过如下工艺形成其中晶体管的半导体层W及在很多情形中其它层 是由溶液沉积。所得的晶体管被称作薄膜晶体管。当在半导体层中使用有机半导体时，该 器件通常被描述为有机薄膜晶体管（OTFT)。 OTFT的各种配置是已知的。一种器件，顶栅薄膜晶...
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