技术编号:9439329
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在典型的高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列组件中,将若干如例如包括一定数目的VCSEL阵列芯片的子安装座的发光半导体器件一起安装在与例如μ通道冷却器相同的冷却结构的安装区域上。作为对组装或安装工艺的准备,在这些μ通道冷却器的顶表面中切割沟槽以产生如图4中所示的安装区域的(通常矩形)结构。这常常是在制造μ通道冷却器之后在单独的激光结构化步骤中完成的。顶表面中的结构主要充当阻焊物;以该方式,实现了子安装座在冷却器表面上的限定定位。这进而帮助避免子安装座...
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