技术编号:9454244
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体存储器件领域,尤其涉及一种多次可编程存储器及其操作方 法。背景技术 在多次可编程嵌入式非挥发性存储器应用领域,主要有基于浮栅工艺的eFlash 和EEPR0M存储器和基于CMOS单栅工艺的多次可编程(MTP)存储器。 基于浮栅工艺的存储器技术成熟、集成度高、存储容量大,但是与标准CMOS工艺 相比需要增加掩模板和工艺步骤,大大增加了 S0C芯片的成本。 基于单栅工艺的MTP存储器与标准CMOS工艺完全兼容,不增加任何工艺成本。但 是,目前...
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